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第三代半导体功率器件研究组
第三代半导体材料具备击穿电场高、热导率大、抗辐射能力强等优越性能，是新一代电力电子、射频应用的核心材料和关键器件，支撑新能源汽车、高铁、智慧能源、5G通信等产业绿色可持续发展。甬江实验室第三代半导体功率器件研究组围绕第三代半导体功率器件在电能变换中的应用，以功率器件多物理场模型为根技术，研究高转换效率、高可靠性的功率器件及其应用，突破限制第三代半导体优异特性在新能源汽车、光伏发电、数据中心等应用中充分发挥的技术瓶颈。
研究组重点研究方向涵盖第三代半导体功率器件失效分析、器件多物理场模型研究、高可靠性器件与应用系统设计。研究组已开展宽禁带功率器件失效模式、多物理场模型研究，研究组将制定的第三代半导体功率器件可靠性评价方法将填补国内业界空白。目前，研究组正在与电力、储能等领域龙头企业展开合作，开发高可靠性碳化硅逆变器及其评价标准。
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